石材结晶粉的使用方法如下：

首先，确保石材表面平整，这样才能让石材结晶粉发挥效果。

其次，湿磨工艺。作业人员将石材结晶粉加水后，按照1:6的比例调成泥浆状，再使用石材晶面机将其研磨3-5分钟，使用红垫、白垫、纳米垫等百洁垫配合进行，用清水轻抛洗净、吸水机吸干，再使用纤维垫轻抛2-3分钟以获得更佳效果。

这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

制作步骤：

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：

（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。

（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。

硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

结晶粉的使用

1、石材结晶粉使用效果的要求: 地面平整,翻新完成后使用或晶面日常保养。

2、取本大理石油亮型结晶粉湿磨工艺：加水调成浆状(比例为1:6)。用石材晶面机配合百洁垫(红垫、白垫、纳米垫、兽毛垫都可以，根据石材材质和经济性决定)研磨3-5分钟后,保持地面湿润，用清水轻抛洗净吸水机吸干。后再用干净纤维垫轻抛2-3分钟效果更佳!

3、取本大理石超亮晶面粉干磨工艺：加水调成浆状(比例为1:1)。用石材晶面机配合纤维垫研磨,磨干地面。(晶面机阻力增大时即晶面浆结晶层形成时可在地面洒几滴水至磨干)

4、观察地面结晶层亮度、油润度，可按上述方法施工二遍，可达到满意结晶面，做翻新工程时可以直接交工。

5、地面干燥后，可用干净尘推推尘。