抛光粉通常由氧化铈、氧化铝、氧化硅、氧化铁、氧化锆、氧化铬等组份组成。不同的材料的硬度不同，在水中的化学性质也不同，因此使用场合各不相同。通常，氧化铈抛光粉用于玻璃和含硅材料的抛光，氧化铝抛光粉用于不锈钢的抛光，氧化铁也可用于玻璃，但速度较慢，常用于软性材料的抛光。石材的抛光常使用氧化锡，瓷砖的抛光常使用氧化铬。

混凝土、水泥地面存在着很多的由水泥水化产生的毛细管，空气、水等物质可以通过毛细管深入混凝土的内部。水的交替冻融可以导致混凝土的冻融破坏。二氧化碳与混凝土中的活性钙离子反应生成碳酸钙，降低混凝土的碱性，使混凝土的体积膨胀，引起破坏。其他酸性气体和氯离子进入混凝土内部，腐蚀里面的钢筋增强件，造成混凝土的破坏。

抛光粉的基本要求

（1）微粉粒度均匀一致，在允许的范围之内；颗粒的大小及均匀度决定了抛光速度和精度，过筛的筛网目数 能掌握粉体相对的粒度的值，平均粒度决定了抛光粉颗粒大小的整体水平。

（2）有较高的纯度，不含机械杂质。

（3）有良好的分散性和吸附性，以保证加工过程的均匀和，可适量添加LBD-1分散剂提高悬浮率；好的 抛光粉要有较好的悬浮性，粉体的形状和粒度大小对悬浮性能具有一定的影响，纳米粒径的抛光粉的悬 浮性相对的要好一些，所以精抛一般选择纳米抛光粉。

（4）粉末颗粒有一定的晶格形态，破碎时形成锐利的尖角，以提高抛光效率；粉体的晶型是团聚在一起的单 晶颗粒，决定了粉体的切削性、耐磨性及流动性。粉体团聚在一起的单晶颗粒在抛光过程中分离（破碎），使其切削性、耐磨性逐渐下降，颗粒为球型的抛光粉具有良好的切削性、耐磨性和流动性。

（5）有合适的硬度和密度，和水有很好的浸润性和悬浮性，因为抛光粉需要与水混合，硬度相对大的粉体具 有较快的切削效果，同时添加一些助磨剂等等也同样能提高切削效果；不同的应用领域会有很大出入，包括自身加工工艺。

这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。