气相沉积SiC晶体粉源可用于PVT长晶

2025-11-07 10:10   2401次浏览
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SiC的物理和电学属性使其成为短波长光电、高温、耐辐射、高功率/高频率电子器件的半导体材料。然而生长优质的SiC单晶非常困难,其中SiC粉源的颗粒度、纯度、类型等各方面都极大地影响着SiC晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。

合能阳光提供的SiC高品质粉末,可充分满足不同需求的客户,为客户SiC长晶的成品率与晶片质量提供了可靠的保障。

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