2026 年全球锗供需缺口已扩大至 40 吨，占年产量近三成，而低轨卫星、AI 算力等领域的爆发式增长进一步加剧紧张 —— 仅 2026 年全球计划发射的 2 万颗低轨卫星，就将带动年耗锗量超 15 吨，单颗卫星平均耗锗达 5-8 公斤。相比之下，工业加工中产生的废锗粉、边角料等废料堪称 “富矿”：锗单晶研磨粉尘含锗量可达 90%，砷化镓电池废料纯度更是高达 99.99%，经专业处理后回收率能达到 98.5%，成为原生锗的关键补充。
在 “供给收紧、需求爆发” 的市场格局下，锗回收的战略意义尤为突出。回收不仅能直接缓解资源紧张，降低产业链对原生矿的依赖，更能减少开采冶炼带来的环境压力 —— 数据显示，再生锗生产的碳足迹较原生锗下降近 40%，契合循环经济理念。
而电子元件拆解所得的锗锭，相对纯度较高，杂质较少，因为电子元件生产对锗纯度有一定要求。外形通常较为规整，尺寸相对固定。 从杂质含量方面对比，低杂质含量的锗锭，其锗含量高，物理性能稳定，回收后可直接用于对纯度要求较高的领域，如半导体制造。而高杂质含量的锗锭，需要经过更复杂的提纯工艺，去除其中的杂质。
分离与纯化：萃取精华，去除杂质
从成分复杂的浸出液中、高选择性地分离和纯化锗，是整个回收流程的技术核心。这一步直接决定了再生锗的最终纯度。
常用的纯化方法包括溶剂萃取法和沉淀法。溶剂萃取法利用特定有机萃取剂对锗离子的高选择性和高亲和力，通过多级逆流萃取与反萃操作，能够将锗从含有大量杂质的溶液中“搬运”到另一相中，从而实现锗与绝大多数杂质的分离。经过萃取-反萃后，可以得到纯度较高的含锗溶液。
沉淀法则通常用于进一步提纯或作为特定工艺路线的选择。通过控制溶液的酸碱度、温度，并加入适当的沉淀剂，使锗以特定化合物（如二氧化锗）的形式从溶液中沉淀出来。沉淀物经过滤、洗涤后，杂质含量已大大降低。
为了达到半导体级等高纯要求，经过上述初步纯化得到的锗化合物（如二氧化锗）往往还需要经过多次重复的溶解-纯化-沉淀循环，或者结合离子交换、精馏等技术，逐级去除微量的硼、磷、砷等难以分离的杂质。